资 源 简 介
霍尔离子源制备类金刚石薄膜研究
类金 刚 石 （D ）薄膜 具 有 高硬 度 …1，低摩 擦 系数 ［，3l，很好 的化 学 稳 定 性 ［］及 红外 特 性 ［5］等物 理和化学性 能 ，因而在耐磨保护 膜 、光学元件 等很 多方面得到 了广泛应用 。与其 他薄膜材 料一 样 ，类 金 刚石 薄 膜 的性 质 与制备方法 有很大关 系 ，不 同方 法 制备 出 的 D 膜 的成分 、结构 和性能会有很 大不 同 ，为 了得到满足需要的性 能及应用 于工业化 生产 ，多年来 人们 对 DLC膜的制备方法进 行 了很 多 的研 究 ，包 括 多种 物理 气 相沉积 （P、 ）及化学 气相沉 积（C、 ）方法 。离子 源是将工作气 体 （如 Ar）离 化 ，形成 离子 柬流 的装 置 ，在薄 膜沉 积过 程 中常 利 用离 子源 的离 子束 流辅 助沉积 ，以改善 薄膜性能 ，也可 用离子束流进行溅射 。霍尔 离 子源 （end—Hallionsource）是 近 年来新出现 的一种 用于 薄膜沉 积 的离子 源 ，与 以前 薄膜中常用 的考夫曼 离子源 （K~thmanionsource）相比 ，霍尔离子 源是靠霍尔效 应加速 电子 ，结构 比较简单 ，不需要栅 极 ，具 有 离子 能 量较 低 ，离 子束 发 散角大 ，离子束 流密度 高等特 点 ，因而用 于离子束辅助沉积可减少对薄膜的损伤L6，7J。如果在离子源中通入反应气体 ，离子 源就可 以直接 进行薄膜沉 积 ，最近 国外 已经有人 开始研究 利用霍尔离 子源制备类 金刚石薄膜 。我们经过反 复 实验 ，自行 研制 出 了性 能较 好的改进 型霍尔离子 源 。本文 目的就是对 此离子源 的性能进 行研究 ，并研 究采 用霍 尔离 子 源制 备类 金 刚石薄膜及其性 能 。
