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600V_CoolMOS优化设计

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  • 上传时间:2021-08-09
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  • 标      签: CoolMOS MOS

资 源 简 介

CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡 理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻R。 的原理。通过理论计算,得到相关的设计参数,并结合TCAD软件对Cool— MOS的多个参数(外延参数、注入剂量、单胞尺寸、推阱时间)进行了优化。最终得到击穿电压为630 V,特征导通电阻RmA仅 为12.5 mQ·cm 的CoolMOS结构,器件特性大大优于传统功率MOSFET。
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