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SST26VF064B/SST26VF064BA原文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)

  • 资源大小:3.03 MB
  • 上传时间:2021-07-26
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  • 标      签: SST26VF064B 闪存

资 源 简 介

连续四I/O™(SQI™)闪存设备的家庭特征的六线,4位I/O接口,允许在低功耗、低引脚数封装的高性能运算。sst26vf064b / 064ba还支持完整的命令集传统的串行外设接口(SPI)协议的兼容性。系统设计使用SQI闪存设备占据板空间较小,最终降低系统成本。26系列的所有成员,SQI家族制造专有的,高性能的CMOS的SuperFlash®技术。细胞分裂门的设计和thickoxide隧道喷油器达到更好的可靠性和可制造性的替代方法相比。sst26vf064b / 064ba显著提高性能和可靠性,同时降低功耗。这些设备的写(编程或擦除)一个2.3-3.6v单电源供电,消耗的总能量是一个电压、电流的功能,以及申请时间。因为对于任何给定的电压范围,使用更少的SuperFlash技术电流程序并擦除时间短,消耗的总能量在任何擦除或编程操作比其他闪存技术。sst26vf064b / 064ba是提供8接触wdfn(6 mm x 5 mm或6mm&TImes;8mm),8引脚soij(5.28毫米),16引脚SOIC封装(7.50毫米),和24球TBGA。见引脚分配的图2-2。有两种配置可供订购。sst26vf064b默认上电时有WP #保持#引脚启用,与SiO2和SiO3引脚禁用,在权力的WP #保持#引脚禁用启动SPI协议operaTIons.sst26vf064ba默认,和SiO2和SiO3引脚启用,开始四I/O操作。看到“I / O配置(IOC)12页上的“更多信息关于配置WP # /保持#和SiO3 / SiO4引脚
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