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SST26VF016/SST26VF032中文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)

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  • 上传时间:2021-07-07
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  • 标      签: SST26VF016 闪存

资 源 简 介

串行四 I/O(SQI™)闪存器件系列采用 4 位复用 I/O 接口,可在低引脚数封装内实现低功耗和高性能的工作。使用 SQI 闪存器件的系统设计占用的电路板空间较少,最终可降低系统成本。 26 串行 SQI 系列的所有成员均采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash® 技术制造。与其他方法相比,分离栅极单元设计(Split-gate cell design)和厚氧化层隧穿注入器(Thick-oxide tunneling injector)可实现更高的可靠性和可制造性。 SST26VF016/032 可以显著提高性能和可靠性,同时降低功耗。这些器件使用 2.7-3.6V 的单电源进行写操作(编程或擦除)。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围, SuperFlash 技术的编程电流更低、擦除时间更短;因此,在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。 SST26VF016/032 提供 8 触点 WSON (6 mm x 5 mm)和 8 引脚 SOIC (200 mil)封装。有关引脚分配,请参见图 2。
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