资 源 简 介
从数十年前被发明以来，MOS晶体管的尺寸已经被大大缩小。门氧化层厚度、通道长度和宽度的降低，推动了整体电路尺寸和功耗的大大减少。由于门氧化物厚度的减小，最大可容许电源电压降低，而通道长度和宽度的缩减则缩小了产品的外形并加快了其速度性能。这些改进推动了高频率CMOS轨到轨输入/输出放大器的性能发展，以满足当今系统设计者对于某种新型模拟电路日益增加的需求，这种电路必须能够以和数字电路同样低的电源电压进行工作。本应用笔记解答了有关最新一代CMOS轨到轨放大器的一些独特问题。文章一开始大致讨论并讲述了传统电压反馈和电流反馈放大器电路的拓扑，以及导致反馈放大器振荡的最常见原因。为了方便分析和讨论，我们将CMOS轨到轨放大器电路分成4大块：输入、中间增益、输出和反馈网络阶段。文中将展示每个阶段受频率影响的增益和相位移，随后展示并讨论一个包含了所有4大基本电路区块的完整系统仿真。而第二部分则将展示并讨论三种用于解决放大器振荡问题的使用方案的机制、各方面的折衷和优势。
