资 源 简 介
按理说，场管不是教材的重点，但目前实际中应用最广，远远超过双极型晶体管（BJT）。场效应管，包括最常见的MOSFET，在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。运放在今天的应用，也是如火如荼。比较器、ADC、DAC、电源、仪表、等等离不开运放。1、场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道和P沟道两种器件。有结型场管和绝缘栅型场管IGFET之分。IGFET又称金属-氧化物-半导体管MOSFET。MOS场效应管有增强型EMOS和耗尽型DMOS两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。学习时，可将MOSFET和BJT比较，就很容易掌握，功率MOSFET是一种高输入阻抗、电压控制型器件，BJT则是一种低阻抗、电流控制型器件。再比较二者的驱动电路，功率MOSFET的驱动电路相对简单。BJT可能需要多达20%的额定集电极电流以保证饱和度，而MOSFET需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动。其次，MOSFET的开关速度比较迅速，MOSFET是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应。其三，MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外，MOSFET具有并行工作能力，具有正的电阻温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET，允许并行电路配置。而且，MOSFET的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管，在电感性负载开关中特别有用。场管有两种工作模式，即开关模式或线性模式。所谓开关模式，就是器件充当一个简单的开关，在开与关两个状态之间切换。线性工作模式是指器件工作在某个特性曲线中的线性部分，但也未必如此。此处的“线性”是指MOSFET保持连续性的工作状态，此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是，在开关电路中，MOSFET的漏电流是由外部元件确定的，而在线性电路设计中却并非如此。
