首页| 行业标准| 论文文档| 电子资料| 图纸模型
购买积分 购买会员 激活码充值

您现在的位置是:团子下载站 > 电源技术 > N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

  • 资源大小:796 K
  • 上传时间:2021-04-26
  • 下载次数:0次
  • 浏览次数:21次
  • 资源积分:1积分
  • 标      签: PT-IGBT 缓冲层

资 源 简 介

 N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
VIP VIP