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SST25VF080B原文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)

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  • 上传时间:2021-12-31
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  • 标      签: SST25VF080B 闪存

资 源 简 介

25系列串行闪存家族特征的四线,spicompaTIble界面允许低引脚数封装占板空间并最终降低总系统成本。SST25VF080B设备提高工作频率和低功耗增强。SPI串行闪存的SST25VF080B制造专有的,高性能的CMOS的SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器与其他方法相比,具有更好的可靠性和可制造性。SST25VF080B大大提高设备的性能和可靠性,同时降低功耗。设备写(编程或擦除)一种SST25VF080B 2.7 - 3.6V单电源供电,消耗的总能量是一个电压、电流的功能,以及申请时间。因为对于任何给定的电压范围,使用更少的SuperFlash技术电流程序并擦除时间短,消耗的总能量在任何擦除或编程操作比其他闪存技术。SST25VF080B装置是在8引脚SOIC提供(200毫升),8接触WSON(6mm&TImes;5mm),和8引脚PDIP封装(300毫升)。见引脚分配的图2-1。
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