资 源 简 介
为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命，提出双IGBT缓冲吸收电路。针对双RCD型缓冲吸收电路，详述了IGBT关断过程C-E端过电压产生的原因，给出了电路缓冲电容和电阻的确定方法，讨论了不同门极驱动电阻下电路的缓冲吸收效果，通过计算和实验调整确定了电路相关元件参数，指出了IGBT温升设计及其安装的注意事项。实验研究结果表明，双RCD型缓冲吸收电路可显著降低IGBT关断过电压，具有良好的缓冲吸收效果，可保证其安全性、可靠性和稳定性。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动电动汽车等领域。IGBT的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口。驱动电路的基本任务，就是将控制电路传来的信号按照控制目标的要求，转换为加在IG2BT控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。采用性能良好的驱动电路，可使IGBT工作在较理想的开关状态，缩小开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。本文针对电动汽车双向功率变换器，详述了双IGBT缓冲吸收电路的工作原理及其设计方法。
