资 源 简 介
超大规模集成电路技术系统地介绍了超大规模集成电路工艺理论和工艺方法。全书共九章，包括光刻、掺杂、氧化及热处理、薄膜工艺基础与物理气相沉积、化学汽相沉积、刻蚀、平坦化与多重内连线工艺及超大规模集成电路工艺汇总等。重点介绍亚微米、半亚微米前道加工技术及相关工艺设备，也介绍了特征尺寸达到0.18μm、硅圆晶片直径为300mm(12英寸）及256Mb DRAM的有关动态。本书可作为高等院校半导体、电子工程、固体物理等相关专业的教材或教学参考书，也可供从事超大规模集成电路研究、生产的科技人员及超大规模集成电路生产设备的研究、生产，技术支持人员参考。
"超大规模集成电路技术基础"的图书目录……绪论第一章 硅的晶体结构第二章 光刻第三章 掺杂第四章 氧化及热处理第五章 薄膜工艺基础与物理气相沉积第六章 化学汽相沉积（VCD）第七章 刻蚀第八章 平坦化及多重内连线工艺第九章 超大规模集成电路工艺汇总
