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完美的反向电压保护

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  • 上传时间:2021-09-14
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  • 标      签: 电压 电路

资 源 简 介

介绍   在半导体的电熔丝提供低成本,低阻抗解决方案的巴士保护和提供多更快的保护比许多保险丝解决方案。他们是一个有效替代一polyfuse和电视卡二极管。一个领域,他们在性能上的不同是反向极性保护。而电视装置和polyfuse将防止反向电压,集成的性质半导体器件本身不允许这种类型保护。   这个简单的电路允许设备保护反向电压的情况下,通过简单地阻断反向电压。这相当于一个多保险丝的动作泄漏少。与机械保险丝相比,这是一个非常优越的解决方案,因为机械保险丝将不会复位和此电路将自动复位时施加正确电压。   电路描述   为了防止反向电压的外部需要开关。有两个基本的拓扑结构,可以完成此功能。甲P沟道FET可以添加高侧或N沟道FET可以在低侧。N沟道FET更有效,通常如果打破地面线是可以接受的。如果负载与可能通电的电路有其它连接在反向极性输入条件下,地面应保持机智。如果需要打破高边,P沟道场效应晶体管应该使用。这两个电路配置显示在图1和2。   反向保护电路包括齐纳保护二极管,以防止过度的门到源电压可能损坏场效应晶体管。场效应管的12伏或更低的门,这是推荐。与20 V栅极场效应管,稳压管和电阻器可以消除和门直接连接到其他轨只要最大系统瞬态规格是20 V或以下。一个表包含建议的FET。电压和RDS(ON)只是建议。系统电压规格应考虑到确定最大场效应管电压和由于RDS(ON)的损失场效应管。
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