基于宽带隙（WBG）碳化硅（SiC）材料的功率器件由于具有更高的可实现阻断电压和更快的开关速度，是中压电力电子应用的理想选择。例如，对于智能电网应用的7.2kV固态变压器（SST），15kV SiC MOSFET允许简单而高效的两电平转换器配置。与多电平输入串联输出并联（ISOP）方案相比，该方案具有更高的效率和可靠性，降低了系统的重量和成本。然而，主要关注的是如何在不同的MV应用中精确地实现该器件，在保持良好热性能的同时获得最高的开关频率。本文综述了15kv sicmosfet的特性，并从拓扑选择、损耗优化和热管理等方面对该器件在AC-DC、DC-DC和AC-AC等实际MV功率变换场合的应用提供了全面的指导。
