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双MOSFET封装板水平和热性能的应用笔记

资源大小：0.25 MB
上传时间：2021-09-11
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标签： 半导体 MOSFET

资源简介

介绍　　半导体冷MOSFET新技术热增强，wdfn6 2x2 506an包非常小，专门解决电源便携式设备的管理挑战同步降压和升压电路，高，低侧负载锂离子电池和开关，−充电电路。本技术笔记讨论双位wdfn6506an器件封装的概述，垫模式，评价板布局和热性能。　　概述　　wdfn6平台提供了一个通用性使无论是单或双半导体器件在无引线封装内实现。图1说明了一个双位wdfn 6半导体器件封装和−引脚描述。半蚀刻引线框架的补充−模具锁功能允许这种无铅封装提供用于优异导热性的暴露排水垫降低电气寄生效应。这个低调（《 0.8毫米）紧凑的设计是类似于流行的DFN、QFN封装允许在薄环境中易于安装。建议印制电路板安装标准指南在应用笔记and8211 / D概述，“板级应用笔记DFN和QFN封装”。

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