资 源 简 介
侧向光伏效应是指在点照明下，在 PN 结、金属半导体结、半导体异质结的同一面接上外路电压而测得的光伏效应，如图 1 所示。
侧向光伏效应产生的机理是：点光源照射样品，会在照射位置产生大量电子-空穴对，由于电子数密度 N（r）与周围存在明显差异，会进行扩散，两个铟电极 A 和 B 收集的电荷数量不同导致电势差 UAB。
实验设备主要有：半导体激光器、小孔、凸透镜（焦距 26 毫米）、直尺、万用表、三维微位移平台、金属-氧化物-半导体（Ni–SiO2–Si）片、细铜丝、接线板、电控箱、控制软件、电脑。如图所示，激光经过小孔被卡成口径 1 毫米的光斑，被凸透镜聚焦到 Ni–SiO2–Si 的表面。Ni–SiO2–Si 的硅衬底背面两只铟电极 A、B 上粘两根细铜丝导线，分别连接到接线板上的红、黑接线柱上，细铜丝导线重量很轻，以防止拽脱落铟电极。
