资 源 简 介
在bq3060参考设计组件在本应用报告解释。设计分析和建议权衡在适当的地方。
保护管
P沟道FET的充电和放电，必须选择一个给定的应用程序。大多数便携式电池应用程序是为si4435dy或等效的一个很好的匹配。P沟道预充电FET通常可以与较小的，不太昂贵的设备，根据所需的预充电量实现电流。
飞兆半导体si4435dy是–8.8-a，RDS–30V器件（上）20兆瓦的栅极驱动电压时10 V。
如果预充电FET使用，R23计算电流限制到所需的充电率。一定要串联电阻功耗。预充电电流是有限的（Vcharger–Vbat）/ R38和最大功率耗散（vcharger–VBAT）2／R23。所有保护FET的栅拉与之间的门和高值电阻的来源源，以确保它们是关闭的，如果门驱动器打开。电容C16和C18的帮助在ESD事件期间保护FET。使用两个设备确保如果其中一个短路，正常操作。为了有良好的ESD保护，铜跟踪电容引线的电感必须被设计成尽可能短和宽。确保如果一个电容C16和C18的额定电压都足以把电压短路。
