资 源 简 介
CW1053 系列芯片内置高精度的电压检测电路、电流检测电路、温度检测电路以及延时电路，适用于 5 串的锂离子电池组，锂聚合物电池组保护应用。CW1053 系列芯片为电池包提供了过充电保护，过放电保护，放电过流保护，充电高低温保护，放电高温保护等功能，极大程度的保护了电池组安全并延长电池组使用寿命。
功能设定
3.1 过流阈值设定与选择
CW1053 的放电过流保护功能分为放电过流 1，放电过流 2 以及短路保护，其原理都一样，都是通过 VINI 端口检测 RSENSE 上的电压差来计算 RSENSE 上流过的电流，当 VINI 端口检测到的电压值大于过流保护阈值，并维持一定时间后，就会发生过流保护状态，芯片会将放电 MOSFET 关闭。
在实际使用过程中，会出现不同的过流情况，过流阈值不同，过流保护的延时时间会不同，必须确保在使用中每种过流发生后，都能够及时保护，而不会烧毁放电 MOSFET。对于过流阈值的选择一般有以下几点建议：
1） 保证在不同电压下短路，短路电流都大于（短路保护阈值 3）/（），这样能保证在大电流情况下，最快关闭放电回路，以免出现烧毁器件现象。即（短路保护阈值 3）《 （实际短路电流 I）
2） 放电过流 1 阈值选择，一般会根据实际使用过程中最大电流决定，（放电过流 1 阈值）》（实际使用最大电流 Imax）* ，一般略大于就可以了，以免出现长时间异常电流，导致放电 MOS 烧毁。
3） 放电过流 2 阈值，一般为过流 1 与短路的缓冲，保证在没有发生短路电流的情况下，此时电流也较大，需要能够较快关闭放电 MOS，阈值一般会根据所选择的放电 MOSFET 的过电流能力与实际过流 1 而定。
3.2 延迟时间设定2 芯片的过充电保护延迟时间，过充电恢复延迟时间，过放电保护延迟时间，过放电恢复延迟时间，温度保护延迟时间，以及短路保护延迟时间都为芯片内置时间，不可更改，详细请查看 CW1053 规格书。
芯片的放电过流 1，放电过流 2 延时时间可以由 CIT 端口的电容设定，当发生过流 1，或过流 2 时，芯片会向 CIT 引脚的电容 CCIT反复充放电，一定次数后，保护动作响应，关闭放电 MOSFET。
Table 2： 延迟时间设定：
一般情况下，当 = 。时， = + ∗ ， = + ∗ ，其中 ∗ 为 VINI 处滤波时间常数，一般是s 级别，在此处忽略不计，所以在一定的电容范围内，时间与电容成正比
RDOT、RCOT 端是芯片的温度检测引脚，既是温度检测引脚也是输出引脚。当其中一个管脚输出 VVEG电压时，另一管脚就处于检测状态。充电过温检测原理：RDOT 检测电压时，RCOT 输出 VVEG 电压，通过电阻 RRCOT 与 RNTC 分压，当 RDOT 端口检测到的电压小于 VVEG/11 时，触发温度保护。放电过温检测与充电过温检测同样原理，检测管脚刚好相反。
