资 源 简 介
本说明提供了一种基于单频T2G6003028-FS封装GaN HEMT器件的非线性模型的设计用于单级微波功率放大器（PA）参考设计的性能可预测性的洞察力。该应用注意事项中所研究的示例是在参考放大器板中使用的30 W器件，其使用分布式和表面安装元件来匹配和偏置网络。设计的偏差和操作信息如下：VDS＝28 V，IDS＝200毫安，设计频率＝5.9 GHz。对于模拟，使用模型化的T2G6003028-FS器件的非线性模型连同被动集总表面安装组件的MODLICTICS CLR模型一起使用。本研究中使用的建模与分析工具包括安捷伦科技的先进设计系统（ADS）。
本说明中的处理包括对小信号和大信号分析的测量到模型一致性的探索，包括仔细分析被动匹配网络表示。这项工作的目标包括晶体管模型的验证以及对匹配和偏置电路建模对放大器的测量数据一致性的整体模拟的影响的理解。
我们将开始研究PA的每个部分如何对放大器的整体小信号性能作出贡献。有了这个目标，开发了两个测量方案：1）测量完全组装的PA和2）分别测量三个部分中的每一个。
由于晶体管接地和散热要求，铜载体是必需的。为了产生准确和可靠的晶体管性能，在载体中铣削沟槽以提供足够的深度，使得晶体管的栅极和漏极上的导电引脚在衬底上的传输线上方停留1密耳。示出组装晶体管的测量参考平面的图像可以在图1中看到。图2提供了组装后的晶体管的侧视图图像。
