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如何使用FFRC结构设计一款高PSR的LDO

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  • 上传时间:2021-08-14
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  • 标      签: PSR ldo CMOS

资 源 简 介

电源管理电路是所有电子产品中必不可少的模块,稳压是电源管理电路最基本和最常见的功能,低压差线性稳压器(LDO)是稳压电源管理芯片中最为常用的电路,它广泛存在于通信电子、汽车电子和一些独立SOC系统中。特别是对电源噪声敏感的模拟和射频电路,一般首选LDO作为其供电电路。 随着CMOS工艺的发展,沟道尺寸和电源电压不断降低。电源电压的降低减弱了芯片对电源噪声的抗干扰能力,因此研究设计高电源纹波抑制比(PSR)的LDO意义重大。 本文在分析了提高LDO PSR技术发展动态的基础上,详细研究了前馈纹波消除技术(FFRC),并对其进行了建模分析。最终采用FFRC结构设计了一款高PSR的LDO,LDO采用极点分离和等效串联电阻(ESR)补偿技术达到稳定。同时本文对提高带隙基准电压源PSR的理论和方法进行了详细地分析,在此基础上设计了一款高PSR的带隙基准。 采用matlab中simulink模块对电路系统进行建模分析,确定了电路模块参数,运用cadence软件对具体电路进行了设计仿真。采用UMC0.18μm CMOS工艺。LDO输出电压1.8V,工作电压范围2V到5V,负载电流范围0到30mA,静态电流低于100μA,线性压差低于200mV,最大负载调整率和线性调整率分别为23μV/mA,0.0021%/V,输入电压2V时,直流PSR80dB,在1M处PSR60dB,负载电流为0到30mA的阶跃信号时,过冲电压低于10mV。分析结果显示本文的设计达到了设计指标。
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