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GaN充电器为什么会这么火爆

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  • 上传时间:2021-08-07
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  • 标      签: GaN 充电器 MOSFET

资 源 简 介

不断提高设备的能效是一个永无止境的目标。第三代宽禁带(WBG)半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性,不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等最新需求,还可以降低50%以上的能量损失,最高可使设备的体积减小近75%。以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料已经开始在射频和功率领域挑战硅(Si)材料的统治地位。SiC的禁带宽度为3eV,SiC基MOSFET非常适用于高频工作的高击穿、高功率等应用。与Si相比,因RDS(on)等参数随温度的变化较小,在设计中可以有更宽的工作边界,从而提供额外的性能。GaN具有比SiC更高的禁带宽度(约为3.4eV)和更高的电子迁移率。它的击穿场强是Si的10倍,电子迁移率是Si的2倍,输出电荷和栅极电荷都比硅低10倍,反向恢复电荷几乎为零,这是高频工作的关键。可以说,GaN是现代谐振拓扑中最适合的技术。
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