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发光器件与位错结构LED的介绍及硅基光电集成器件研究进展

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  • 上传时间:2021-07-25
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  • 标      签: 硅基光电 led

资 源 简 介

随着器件结构与制作工艺的不新创新与完善。硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作,外量子效率可达到0.1%:低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到1GHZ以上;而硅基光探测器对1300mm与1550mm波长的探测响应度也已分别达到了0.16mA/W 和0.08mA/W.文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述,并着重对几种器件的结构及工作原理进行了分析。   发光器件   由于硅为间接带隙半导体,在载流子的复合过程中非辐射复合占绝对优势,因此单晶硅本身不能制成有效的发光器件’ 然而通过掺杂或引入应力的方法,可以改变材料的能带结构,从而为硅基发光器件提供了实现的可能’ 目前对硅基发光器件的研究主要集中在可见光和红外两个领域( 在可见光领域,一般通过采用多孔硅超晶格、纳米硅等结构来实现硅的能带结构的改善,而在红外领域, 等材料受到较多的关注( 然而从工艺实现的角度来讲,这些材料的制备或多或少都不能与现有的成熟微电子工艺兼容,因此为光电器件的单片集成带来了一定的困难( 而下面介绍的两种硅基发光器件利用标准的微电子工艺制作,较好的解决了工艺兼容性问题,从而使得器件的单片集成成为可能。
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