资 源 简 介
一般32位单片机的内部FALSH是不支持字节操作的，有的可以按字节读取，但是不能按字节写入。而且，一般单片机内部FALSH擦除的最小单位都是页，如果向某页中的某个位置写入数据，恰好这个位置的前面存了其他数据，那么就必须把这页擦除，存的其他数据也会丢失。实际上就是说内部的FALSH不好做改写的操作，如果有很多数据需要存放，最好是分页存储。这也是FALSH与E2PROM最大的区别，后者支持按字节操作且无需擦除，即使某一个地址写坏了，也不影响其他地址。下面介绍一种方法让内部FLASH"支持"字节操作，且同一页的其他数据不受影响。方法原理很简单，下面简单介绍下原理：1.根据要写入地址，计算出该地址位于哪一页；2.读出整个页，存入缓存BUF；3.将要写入的数据按位置更新到BUF中；4.擦除该页；5.写入整个BUF。可以看出这种方法弊端很明显：1.耗时长每次写都要读整个BUF，然后还要先把数据存到BUF里，然后再写入整个BUF；2.FALSH擦写次数增加，降低使用寿命；下面给出测试代码：#include#include#include//C语言标准库#include"flash.h"#defineUSER_FLASH_START_ADDR0x01070000//FLASH最后两个扇区供用户使用u32tou8u32data;//定义一个联合体//==================================================================================//获取某个地址所在的页首地址//addr:FLASH地址//返回:该地址所在的页共128页（0~127）//==================================================================================unsignedintFLASH_GetFlashPage(unsignedintaddr){if(IS_FLASH_ADDRESS(addr)){return(addr&(~0xFFF));//清0低12位就是该页的起始地址}}//==================================================================================//从FLASH中读取一个字（32位）//addr:读取地址//返回：读到的字数据//备注：地址为4字节对齐//==================================================================================unsignedintFLSAH_ReadWord(unsignedintaddr){return(*(unsignedint*)addr);}//==================================================================================//从FLASH指定地址读取数据//备注：读取数据类型为32位读取地址为4字节对齐//==================================================================================voidFLASH_Read(unsignedintReadAddr,unsignedchar*pBuffer,unsignedintNumToRead){unsignedinTI;u32tobytecache;for(i=0;iRO=0;//去掉所有扇区写保护//==================================================================================//判断写入地址是否非法起始地址或者结束地址不在FALSH范围内则退出//==================================================================================if(!(IS_FLASH_ADDRESS(startaddr)&&IS_FLASH_ADDRESS(endaddr)))returnFLASH_ERROR_PG;while(startaddrremain)//需要写入的数据量大于缓冲buf剩余字节数{for(i=index;i<4096;i++)//将需要写入FALSH的数据写入缓冲buff
{
buffer[i]=*(pBuffer++);
}
NumToWrite-=remain;//需要写入的数据长度-本次已经写入的数据长度
startaddr+=remain;//地址向后偏移本次写入的字节数
}
else
{
for(i=index;i其中还有个联合体的定义：typedefunion{unsignedintdata;unsignedcharbuf[4];}u32tou8;FLASH_ErasePage、FLASH_ProgramWord、IS_FLASH_ADDRESS这三个都是单片机FLASH的库函数各家单片机不同，但功能基本相同，这里不再提供源码。最后提供以下两个FLASH接口即可：FLASH_Write(unsignedintWriteAddr,unsignedchar*pBuffer,unsignedintNumToWrite);FLASH_Read(unsignedintReadAddr,unsignedchar*pBuffer,unsignedintNumToRead)演示：1.为方便查看结果，测试从0x1070FFC的位置开始写入数据，FLASH地址分布如下图所示：这里展示了FLASH连续两页的地址，首先将这两页全部擦除。2.接着从1070FFC的位置开始写入56个1，这样就保证了数据跨越了1页。unsignedcharwrite[]={"1111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111"};FLASH_Write(0x01070FFC,write,sizeof(write));注意：最后的00是因为字符串的结尾字符是“/0”3.紧接着，在0x1070FFE位置写入新的字符串，也要保证写入长度跨越1页。unsignedcharwrite2[]={"23456789"};FLASH_Write(0x01070FFE,write2,sizeof(write2));可以看出，0x1070FFE~0x1071006的位置被写入了新的字节，但这两页的其他位置数据保持不变。总结：1、实际使用时，如果不是受限于成本或者FLASH大小，不建议这样读写内部FLASH，以为stm32内部FLASH也就10W次寿命，这样频繁擦写会大大降低FLASH寿命。2、如果保存的数据不多，建议每个数据都单独存1页，这样不用考虑擦除时会把其他数据也一并擦除。版权声明：本文为博主原创文章，遵循CC4.0BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。本文链接：https://blog.csdn.net/qq_24835087/article/details/103541322
