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8205A6 N沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

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  • 上传时间:2021-07-22
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  • 标      签: N沟道 封装 MOSFET

资 源 简 介

8205A6采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和栅极电压低至2.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。   特征   VDS=20V,ID=6A   RDS(开)《24 mΩ@VGS=4.5V   RDS(开)《30 mΩ@VGS=2.5V   提供6针SOT23-6封装
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