资 源 简 介
微光光照强度对单晶硅 （c - Si） 太阳电池效率的影响 光的辐射测量中 ，经常采用下列两个物理量 ： 光照通量 ———单位时间内以辐射方式发送、传递、或接收的能量。 单位是 W 或 mW. 辐照度 ———单位面积上的光照通量 ，简称光强。 单位是 W/ m2 。地面太阳电池标准测试条件是 ：辐照度为 1000 W/ m2 、光谱为 AM1、电池温度为 25 ℃。 但是 ，目前对室内条件下的太阳电池测试没有一个标准 ，把太阳电池的室内测试条件定义为 ：辐照度在 1～1000 W/ m2 范围内、光谱为 AM1. 5、电池温度 25 ℃，并把这个条件中的光照强度定义为微光光照强度 ，简称微光照强度。 室内的温差比室外要小得多。 因此 ，在考虑室内微光照强度对太阳电池效率的影响时 ，温度变化的因素可以忽略不计。 光照强度不同时 ，单晶硅 （c - Si） 太阳电池的最佳工作点也不同。 当强度增大时 ，短路电流就线性增大 ，而开路电压也按对数关系增大。 低光照强度时 ，串联电阻的影响相对来说并不显著 ，但旁路电阻的漏电流大小可以与光电流相比较 ，因此会大大地影响开路电压 V oc和填充因数 FF［2 ］ 。 在高光照强度时旁路电阻不太重要 ，串联电阻起着明显的作用。 由于 V oc和 FF 的变化 ，随着光照强度增强 ，效率也随着提高 ，但是当光强增加到高注入阶段 ，效率会达到饱和甚至减小。 ［3 ］ 单晶硅（c - Si） 太阳电池的微光照强度 - 效率曲线如图 1.
