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MOSFET数据表连续电流额定值的详细资料说明

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  • 标      签: RDS 计算器 MOSFET

资 源 简 介

今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值,以及它们是如何变得不真实的。好,也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定RDS(ON)和栅极电荷等参数的方法测量出来的,而是被计算出来的,并且有很多种不同的方法可以获得这些值。例如,大多数部件中都有FET“封装电流额定值”,这个值同与周围环境无关,并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对FET造成损坏,而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件的使用寿命。高于这个限值的故障机制包括但不限于线路融合、成型复合材料的热降解、以及电迁移应力所导致的问题。然后是我们考虑的“芯片限值”,通常通过将外壳温度保持在25˚C来指定。基本上,这个条件假定了一个理想的散热片,只使用结至外壳热阻来计算器件能够处理的最大功率(在下面的方程式1和2中显示)。换句话说,假定RθCase-to-Ambient为零,这在应用中并不是一个很实用的条件,这样的话,最好将这个电流额定值视为表示器件RDS(ON)和热阻抗的品质因数。
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