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基于SST26WF016B / SST26WF016BA下的1.8V 串行四 I/O(SQI)闪存

  • 资源大小:9.34 MB
  • 上传时间:2021-06-23
  • 下载次数:0次
  • 浏览次数:67次
  • 资源积分:1积分
  • 标      签: SST 闪存

资 源 简 介

特性   • 单电压读写操作   – 1.65-1.95V   • 串行接口架构   – 采用类 SPI 串行命令结构的半字节宽复用 I/O   - 模式 0 和模式 3   – x1/x2/x4 串行外设接口(Serial Peripheral Interface,   SPI)协议   • 高速时钟频率   – 最高 104 MHz   • 突发模式   – 连续线性突发   – 8/16/32/64 字节带回绕线性突发   • 超高可靠性   – 可擦写次数:100,000 次(最小值)   – 数据保存时间大于 100 年   • 低功耗:   – 读操作工作电流:15 mA(104 MHz 时的典型值)   – 待机电流:8 µA(典型值)   • 页编程   – x1 或 x4 模式下每页 256 字节   • 写操作结束检测   – 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位   • 灵活的擦除功能   – 均一 4 KB 扇区   – 4 个 8 KB 顶部和底部参数覆盖块   – 1 个 32 KB 顶部和底部覆盖块   – 均一 64 KB 覆盖块   • 写暂停   – 暂停编程或擦除操作以访问另一个块 / 扇区   • 软件复位(RST)模式   • 软件写保护   – 独立块锁定   - 64 KB 块、2 个 32 KB 块和 8 个 8 KB 参数块   • 安全 ID   – 一次性可编程(One-TIme Programmable,OTP)的   2 KB 安全 ID   - 出厂前预编程的 64 位惟一标识符   - 用户可编程区域   • 温度范围   – 工业级:-40°C 至 +85°C   • 可用封装   – 8 触点 WSON(6 mm x 5 mm)   – 8 引脚 SOIC(150 mil)   – 8 球 XFBGA(Z-Scale™)   • 所有器件均符合 RoHS 标准
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