资 源 简 介
本研究致力於不需負載電容及寬穩定度範圍和快速暫態切換特性之低壓降線性穩壓器(LDORegulator)的實現。我們提出兩個全新的頻率補償架構於穩壓器電路。本論文提供系統晶片(SystemonaChip，簡稱SoC)或可攜式產品的電源管理系統可以完全移除晶片外部大體積電容的解決方法。首先，設計增強型主動回授補償技術去加強頻率響應。此低壓降線性穩壓器從負載電流0mA至100mA範圍內，在沒有負載電容的情況下仍然可以提供高穩定度，或是當LDO穩壓器外部有負載電容時，其等效串聯電阻(EquivalentSeriesResistor,ESR)可以有較寬範圍的設計值。而且，此技術僅需兩個很小的補償電容，這樣可以讓我們輕易地將補償電容整合到LDO穩壓器晶片內部。所設計的系統輸出電壓為1.5V，最大可承受負載電流為100mA。最後，提出一個精簡型CMOS參考電壓源利用臨界電壓和遷移率溫度係數相互補償並使用基底電位微調技術。所設計的參考電壓源具有低溫度係數(≈14ppm/℃)，而且最小的供應電壓為一伏特。在沒有濾波電容情況下，低頻時的電源拒斥比大於60dB。本論文所呈現之晶片都是使用台積電0.35微米2P4M標準互補式金氧半製程來作設計。
