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双脉冲测试到底是什么

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  • 上传时间:2022-01-11
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  • 标      签: PFC 元器件 MOSFET

资 源 简 介

通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性我们开设了Si功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中,我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性,并确认MOSFET损耗情况。1MOSFET体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗的关系在逆变器电路和TotemPole型功率因数改善(PFC)电路等具有2个以上MOSFET的桥式电路中,由于流过上下桥臂的电流会使导通损耗增加。该现象受开关MOSFET和对应桥臂MOSFET的体二极管(寄生二极管)的反向恢复特性影响很大。因此,在桥式电路中,体二极管反向恢复特性优异的MOSFET优势明显。2什么是双脉冲测试?双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性,还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复二极管(FRD)等的反向恢复特性。因此,对导通时发生反向恢复特性引起损耗的电路的评估非常有效。双脉冲测试的基本电路图如下所示。
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