资 源 简 介
IGBT的栅极驱动条件密切地关系到它的静态和动态特性。
栅极电路的正偏压VGE、负偏压-VGE和栅极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dV/dt电流等参数有不同程度的影响。
栅极正电压VGE的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和dVCE/dt电流有较大影响。
栅极负偏压则对关断特性的影响比较大。
IGBT对栅极驱动电路的特殊要求
由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能不好常常导致器件损坏，IGBT对驱动电路有许多特殊的要求：
1） 驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大。
2） IGBT导通后，栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度。
瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区而损坏。
3） IGBT的栅极驱动电路提供给IGBT的正向驱动电压十VGE要取合适的值，特别是具有短路工作过程的设备中使用IGBT时，其正向驱动电压更应选择所需要的最小值。
4） IGBT的关断过程中，栅一射极间施加的负偏压有利于IGBT的快速关断，但也不宜取的过大。（一般取-10V）
5） 在大电感负载的情况下，过快的开关速度，反而是有害的，大电感负载在IGBT的快速开通和关断时，会产生高频且幅值很高而宽度很窄的尖峰电压Ldi/dt，该尖峰不易吸收，容易造成器件损坏。
6） 由于IGBT多用于高压场合，所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。
