资 源 简 介
本文通过VLSI与超纯硅材料关系的论迷，阐明了我国VISI的发展急需解决高质量的
超纯硅材料。提高大直经硅片的平行度;氧、筱含童稳定、均匀、可拉;提高徽区电阻率均匀性;硅
表面洁净、具有密封、屏蔽的的防静电包装技术是当今硅材料发展的主攻课题。超纯硅材料的完
美结晶特性和超精度的加工技术水平取决于基础材料（化学试荆、高纯气体、）的高纯度、小颖粗
和低杂质含责的控制
徽电子技术是人类先进科学和技术的集成，是人类知识和技术的结晶。高可靠的Ic又是现代电子整机系统的荃础。Ic质量的好坏，直接影响着整机系统的使用寿命。在高科技含时量的空间领域内，一块Ic不仅受到宇宙线的辐射，而且又可能时受到核能的袭击。因此，研究高可靠、长寿命、细线条的VLSI，当前我国急需解决基础材料方面的的干问题;抗辐射加固器件所用的高纯硅材料更受到人们的关注。VISI所用的各种电子材料必需是高纯度pp，级（-10-‘）、小颗粒、低杂质含
