首页| 行业标准| 论文文档| 电子资料| 图纸模型
购买积分 购买会员 激活码充值

您现在的位置是:团子下载站 > 其他 > LED芯片制造流程入门资料

LED芯片制造流程入门资料

  • 资源大小:23
  • 上传时间:2022-01-01
  • 下载次数:0次
  • 浏览次数:32次
  • 资源积分:1积分
  • 标      签: LED

资 源 简 介

LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。
VIP VIP