资 源 简 介
GowinB-SRAM用户手册主要描述高云半导体B-SRAM的特性、工作模式、工作时序以及注意事项，给用户提供应用说明。高云半导体FPGA产品提供了丰富的块状静态随机存储器资源，简称块状静态存储器（B-SRAM）。B-SRAM在器件内部以行的形式分布，每个B-SRAM占用3个CFU的位置，B-SRAM的数量根据器件的不同而不同，资源容量详细资料请分别参考《GW1N系列FPGA产品数据手册》、《GW1NR系列FPGA产品数据手册》、《GW2A系列FPGA产品数据手册》、《GW2AR系列FPGA产品数据手册》。高云半导体FPGA产品中的每个B-SRAM可配置最高18Kbits，数据位宽和地址深度均可配置。每个B-SRAM有两个端口，即A端口和B端口，两个端口都可以进行读操作/写操作，两个端口彼此独立，独立的时钟、地址、数据和控制信号，两个端口共享一块存储空间。每个B-SRAM可配置4种操作模式：单端口模式（SP）、双端口模式（DP）、伪双端口模式（SDP）和只读模式（ROM）。在伪双端口模式下，A端口只能用于写操作，B端口只能进行读操作B-SRAM支持数据初始化操作，可以通过parameter设置，也可以通过IPCoreGenerator读入初始化文件设置。B-SRAM的写操作和读操作均同步于时钟，B-SRAM的输入端和输出端都有寄存器，输入端寄存器支持写入数据和控制信号同步于输入时钟。输出端的寄存器支持数据寄存器输出（PipelineMode）帮助改善系统时序和性能，也支持旁路输出（BypassMode）。寄存器输出的数据比旁路输出的数据延迟一个时钟周期。但建议使用寄存器输出。B-SRAM的写操作支持Normal模式、通写模式和先读后写模式。高云半导体Gowin云源软件IPCoreGenerator支持B-SRAM单端口模式、双端口模式、伪双端口模式和只读模式的生成。一个B-SRAM最大容量为18Kbits支持单端口模式（SP）支持双端口模式模式（DP）支持伪双端口模式（SDP）支持只读模式（ROM）支持数据位宽1bit~36bits双端口模式和伪双端口模式支持读写时钟独立、数据位宽独立16bits及以上的数据位宽支持字节使能功能支持异步复位，同步释放输出支持寄存器输出或旁路输出写模式支持Normal模式、先读后写模式和通写模式
