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RFSW2100 GaN和SiC大功率离散RF开关的应用和资料免费下载

  • 资源大小:1.45 MB
  • 上传时间:2021-12-20
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  • 标      签: GaN SiC 半导体

资 源 简 介

RFSW2100D是一种GaN-on-SiC大功率离散RF开关,设计用于军事和商业无线基础设施、工业/科学/医疗和通用宽带RF控制和交换应用。采用先进的高功率密度氮化镓(GaN)半导体工艺,RFSW2100D能够在30MHz至6GHz的宽带内实现低插入损耗和高隔离,并具有适当的芯片连接和散热,回波损耗优于10dB。RFSW2100D是一种SPDT RF开关,适合于在受控条件下具有55W CW输入功率压缩能力、VSWR(3:1)和25°C TCASE、热开关能力、以及0.34dB的插入损耗和37dB的2GHz小信号隔离的许多应用。   应用   军事通信   电子战   商业无线基础设施   蜂窝和WiMAX基础设施   民用和军用雷达   通用宽带   放大器   公共移动无线电   工业、科学和医学
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