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MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率

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  • 上传时间:2021-12-14
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  • 标      签: 材料论文

资 源 简 介

  • MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率,资料为PDF文档格式.
  • 本文档关键词:功率,特性,温度,生长,电学
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