资 源 简 介
LED照明的神圣目标就在于以最高能效与最佳成本效益的方式实现白光，而这也一直是制造商和学术界之间最热门的讨论话题。
传统的途径包括频率向下反转、结合高能量的蓝光LED或近紫外线频段，以及具有不同波长的萤光粉。
相较于原始的发射器（以萤光粉覆盖的LED），这种途径通常以较低的量子效率模拟不完全的白光光谱。萤光粉的寿命有限也对于白光的整个产品生命周期带来负面影响。
其他的解决方案结合了以不同峰值波长发射的多个LED芯片，然而，同样无法为真正白光带来自然连续的发光过程。
香港大学（University of Hong Kong）的研究人员则看好可从单晶LED中取得宽频白光。在最近发布于《ACS Photonics》期刊中的「宽频InGaN LED单芯片」（Monolithic Broadband InGaN Light-EmitTIngDiode）一文中，研究人员发表可在蓝宝石基板生长高铟含量氮化铟镓型氮化镓（InGaN-GaN）量子阱（QW）结构的结果。
研究人员接着使用矽胶纳米粒子组合作为遮罩层，为整个堆叠进行蚀刻，在整个LED芯片上留下纳米柱图案组合，范围包括从直径约150nm的纳米尖端到直径约7μm的微碟型共振腔。
