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Qorvo高性能SOI产品系列详细资料数据免费下载

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  • 标      签: Qorvo SOI RF

资 源 简 介

Qorvo的宽带SOI(绝缘体上硅)基RF开关、DSAs(数字步进衰减器)、TCA(温度补偿衰减器)和PACS(可编程阵列电容器)提供了业界领先的线性度、功率处理和可靠性。Qorvo的专利,独特的SOI技术,使RF,模拟和混合信号功能集成到单一的单片设备,具有一流的ESD评级,更高的隔离度,更低的插入损耗和稳定的性能在PVT条件。   一流的RF性能与更高的集成度和可靠性相结合,能够显著降低整体BOM成本和PCB空间,使QoRoVo®成为智能手机、蜂窝基础设施、宽带通信、工业和汽车领域的市场领导者的可信选择。国防通信和测试计量市场。   Qorvo的SOI反射开关系列为5-6000兆赫,2至8个投切开关,具有插入损耗、线性和隔离的工业领先的组合,并装在一个小型2x2 QFN封装中,一个吸收、高隔离的5-6000兆赫1-1-6掷、开关两个系列。H不需要外部阻塞电容器。
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