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OB2268-69_设计指导

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  • 标      签: OCP MOSFET

资 源 简 介

OB2268-69_设计指导手册 概要: 随着科学技术日新月异的发展,人们对电源系统的性能要求也不断提高, OB2268/OB2269 采用独特的设计方案,使您的电源系统具有较高的性价比,满足广大客户 的需求。OB2268/OB2269 采用传统的电流模式结构设 计,其具有如下特性: ▲ 低待机功耗:OB2268/OB2269 通过特别的低功 耗间歇工作模式设计不仅可以让整个系统在空 载的状态下轻易达到国际能源机构最新的推荐 标准,而且允许系统在较轻负载 (约 1/30 满载 以下) 的情况下同样具有超低耗的性能。 ▲无噪声工作:使用 OB2268/OB2269 设计的电源 无论在空载,轻载和满载的情况下都不会产生音 频噪声。优化的系统设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。 ▲ 更低启动电流:OB2268/OB2269 VIN/VDD 启动电流低至 4uA,可有效地减少系统 启动电路的损耗,缩短系统的启动时间。 ▲ 更低工作电流:OB2268/OB2269 的工作电流约为 2.3mA,可有效降低系统的损耗, 提高系统的效率。 ▲ 内置前沿消隐:内置前沿消隐(LEB),可以为系统节省了一个外部的 R-C 网络, 降低系统成本。 ▲ 内置 OCP 补偿:OB2268/OB2269 内置了 OCP 补偿功能,使系统在不需要增加成 本的情况下轻易使得全电压范围内系统的OCP曲线趋向平坦,提高系统的性价比。 ▲ 完善的保护功能:OB2268/OB2269 集成了较完善的保护功能模块。OVP,UVLO, OCP,恒定的 OPP 和外部可调节的 OTP 功能可以使系统设计简洁可靠,同时满足 安规的要求。 ▲ MOSFET 软驱动:可有效的改善系统的 EMI。 ▲ 较少的外围器件:OB2268/OB2269 外围比较简单,可有效提高系统的功率密度, 降低系统的成本。 ▲ OB2269 优良的 EMI 特性:OB2269 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统 的 EMI 特性,同时可以降低系统的 EMI 成本。
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