首页| 行业标准| 论文文档| 电子资料| 图纸模型
购买积分 购买会员 激活码充值

您现在的位置是:团子下载站 > 其他 > 脊形波导激光器中Ga In P/A lGa In P选择蚀刻

脊形波导激光器中Ga In P/A lGa In P选择蚀刻

资 源 简 介

摘要:本文制做了670nmGaInPöAlGaInP应变层单量子阱脊形波导激光器。为了进一步优化工艺,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了30~50nm的GaInP蚀刻阻挡层。用此种材料加工而成的腔长1200Lm、宽64Lm的氧化条激光器的阈值电流密度为340Aöcm2。采用配比为1.0∶2.5的HCl∶H2O溶液对GaInPöAlGaInP进行湿蚀刻研究,得到了较好的选择蚀刻性结果。关键词:GaInP/AlGaInP;蚀刻阻挡层;选择蚀刻性
VIP VIP