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单电源序列负电压

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  • 上传时间:2021-12-05
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  • 标      签: 单电源

资 源 简 介

当主电源(VCC1)低于切换门限,栅极驱动到GND。的7.5v齐纳二极管(D1)不进行,使电阻R1拉MOSFET的栅负电源。这一结果在VGS = 0,禁用MOSFET。一、超过切换门限,栅极驱动的高。与VCC1 =数据= +5V,VGATE(高)= + 10.5V。在D1 7.5v降,VG = +3,提供VGS =±8V。7.5V齐纳二极管的选择,因为它提供8V的栅极驱动,充分减少IR压降的MOSFET。罗恩可以进一步降低通过选择一个较低的电压齐纳,但是,要知道的栅极电流。尺寸R1这样产生的VGS不会导致栅极电流大于5µA.较大负荷会降低VGATE(高),降低了设备的能力,全面提高MOSFET。
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