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刻蚀端面Al Ga In As/AlInAs激光器的制作与特

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  • 标      签: 激光器

资 源 简 介

摘要 利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面。在此基础上制作出宽接触的刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器,实现了室温脉冲激射,其阈值电流和微分量子效率与传统的解理端面激光器基本相当。并通过刻蚀端面与解理端面激光器特性的比较(包括电流2电压、电流2输出光功率以及远场特性),分析了刻蚀端面的引入对激光器特性的影响。关键词 激光技术;刻蚀端面激光器;AlGaInAs;Cl/BCl/CH;感应耦合等离子体
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