资 源 简 介
框架可以降低功率和MCU系统提高性能
设计师与微控制器（MCU）工作都严重依赖于代码存储闪存芯片制造商因为规模制造工艺的非易失性存储器和单片机芯片产生相当大的闪存阵列。不过，Flash是远远不够完善，和其他非易失性存储器类型如铁电存储器（FRAM）提供闪存包括低功率运行的优点，如每比特DRAM的访问，和更快的访问时间。虽然FRAM成本较高和能力不匹配的闪光，你不妨考虑FRAM技术在低功耗和高性能是关键的设计考虑。
首先让我们简要回顾一下如何FRAM的作品。FRAM存储单元的构造类似于DRAM在使用一个电容和一个晶体管的每个比特。然而，FRAM的细胞需要一个铁电材料，基本上存储一个极性状态，不需要刷新或权力维护内容。到目前为止，半导体制造商一直无法规模框架的水平在几个原因DRAM和Flash实现。铁电材料是一种在半导体制造过程中可能存在问题的材料。随着材料尺寸的减小，这种材料失去了铁电性能，因为较小的单元特征尺寸对更高的密度有重要意义。
Since we started with the downside， you may be asking why bother with FRAM？ The answer is that outside of the manufacturing issue， FRAM is better than flash in virtually every measure. Flash requires high voltage for the write process. That voltage impacts the power consumpTIon attributable to the memory， and also results in a long write cycle. FRAM supports DRAM-like access TIme and low power， and is not constrained by a limited number of rewrite cycles.
