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集成电路制造工艺简介和版图设计技术以及电参数设计规则的详细概述

资 源 简 介

制造集成电路所用的材料主要包括硅(Si)、 锗(Ge)等半导体, 以及砷化镓(GaAs)、铝镓砷(AlGaAs)、 铟镓砷(InGaAs)等半导体的化合物,其中以硅最为常用。   按所制造器件结构的不同, 可把工艺分为双极型和MOS型两种基本类型。 由双极工艺制造的器件, 它的导电机理是将电子和空穴这两种极性的载流子作为在有源区中运载电流的工具, 这也是它被称为双极工艺的原因。 MOS工艺又可分为单沟道MOS工艺和 CMOS工艺。
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