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IR2101和IR2102系列高低侧驱动器的数据手册

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  • 上传时间:2021-11-06
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  • 标      签: IGBT 驱动器 MOSFET CMOS

资 源 简 介

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高、低压侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使加固单片结构成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600伏。   特征   •浮式通道设计用于引导操作,可在+600V下完全运行,耐受负瞬态电压dV/dt免疫闸门驱动电源范围为10至20V   •欠压锁定   •兼容3.3V、5V和15V逻辑输入   •两个信道的匹配传播延迟   •输入同相输出(IR2101)或异相输入(IR2102)
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