资 源 简 介
《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等，重点讨论IGBT，同时对其他器件如VDMOS、C001MOS等也作了简单介绍。《IGBT场效应半导体功率器件导论》着重阐述基础理论，并适当吸收该领域近期的研究报道，各章后附有相关参考文献，《IGBT场效应半导体功率器件导论》后还附有全书统一使用的符号表。
编辑推荐
《IGBT场效应半导体功率器件导论》可作为高等院校电子科学与技术专业、微电子与固体电子学专业的教学用书，也可供从事物理专业及电子信息专业领域的教师、科研人员、研究生和本科生等参考阅读。
作者简介
袁寿财，生于1963年3月，陕西省商洛山阳县人。1985年，获西安交通大学半导体物理与器件专业工学学士;1988年，获陕西微电子学研究所(陕西临潼)硕士学位(VLSI研究方向);2003年，获西安交通大学电子科学与技术学科工学博士学位。现为赣南师范学院(江西省赣州市)物理与电子信息学院教师。从事半导体大功率器件、新材料新器件及微纳电子器件与电路的研究和教学工作。先后参与机械工业部“八五”科技攻关项目、国家自然科学基金及国家863计划等多项科研项目。2004年4月，“一种硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管的制备方法”取得了国家发明专利。发表的学术论文中，SCI收录4篇，EI收录5篇。
