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如何进行低压差线性稳压器LDO电路的分析与设计

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  • 上传时间:2021-10-28
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  • 标      签: ldo 稳压器 CMOS

资 源 简 介

随着信息技术的飞速发展,电源管理产品的应用越来越广泛,LDO(Low DropoutRegulator,LDO)产品以其独特的优势被大量使用,例如高的电源抑制比,低的待机功耗,低的Dropout电压,低的输出噪声,以及非常少的外围器件等等,特别在便携类产品方向,具有很高的研究价值。   本文先简要介绍了LDO电路的系统架构,然后分析了LDO芯片的主要性能指标:Dropout电压、线性调整率、电源抑制比、负载调整率与瞬态响应:然后重点介绍了已有的提高LDO电路PSRR的设计,以及系统环路的小信号建模的方法:最后根据介绍的方法,提出了一种高PSRR带隙基准电路的设计,以及利用一种新颖的动态补偿的方法实现环路稳定性的设计。本文主要对LDO电路的各子模块:快速启动电路,带隙基准电路,驱动电路,电压反馈环路以及过温与过流电路进行了设计与分析,并使用Cadence公司的仿真工具Spectre进行了电路的仿真验证,并使用Cadence的布局布线工具Virtuoso进行了版图的设计。   本文采用华润上华的0.5um CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)工艺平台上进行了工程批试产,经过样品测试,低频下芯片的电源抑制比可以达到70dB以上,同时在空载到重载范围内工作稳定,且具有良好的动态响应,可以在多种应用上取代国外厂商的同类芯片,为系统产品降低了成本,带来了较好的经济效益。
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