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物理接触式光刻技术和以Photons为光源的光刻技术介绍

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  • 上传时间:2021-10-27
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  • 标      签: 光刻技术

资 源 简 介

从第一个晶体管问世算起,半导体技术的发展已有多半个世纪了,现在它仍保持着强劲的发展态势,继续遵循 Moore 定律即芯片集成度18个月翻一番,每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产,正在对半导体设备带来前所未有的挑战。   集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序,其中尤以光刻工艺最为关键,决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠米级发展,光刻采用的光波波长也从近紫外(NUV)区间的436nm、365nm波长进入到深紫外(DUV)区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采yong了 248nm 和 193nm 光刻技术。目前对于 13.5nm 波长的 EUV 极端远紫外光刻技术研究也在提速前进。
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