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静电放电(ESD)保护元件的对比分析与大电流性能的鉴定

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  • 上传时间:2021-10-16
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  • 标      签: ESD

资 源 简 介

在人们的日常工作生活中,静电放电(ESD)现象可谓无处不在,瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流,会对手机、笔记本电脑等电子系统造成损伤。   对于电子系统设计人员而言,如果没有采取适当的 ESD 保护措施,所设计的电子产品就会有遭到损伤的可能。因此,电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受 ESD 的冲击,并继续正常工作。  ESD 保护方法   为了给电子系统提供 ESD 保护,可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内建 ESD 保护架构。不过,日趋缩小的 CMOS 芯片已经越来越不足以承受进行内部 2 kV 等级的 ESD 保护所需要的面积。安森美半导体标准产品部亚太区市场营销副总裁麦满权指出:真正有效的 ESD 保护是不能完全集成到 CMOS 芯片之中的!
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