资 源 简 介
可以加热的MOSFET
功率MOSFET以其低电容和良好的高频开关特性，在电力电子设计中得到了广泛的应用。他们已经进入了许多应用领域，并帮助开辟新的应用市场，从混合动力和电动汽车到太阳能到极端环境探测。这些环境的统一因素是热。汽车发动机和太阳能电池板能够产生热量，使功率器件的结温远高于100°C。这种热量会严重影响功率半导体，而这些半导体并不是用来应付的。
功率半导体都有温度限制。泄漏电流随着温度的升高而增加，这会加速导致击穿条件的影响，从而损坏电路并造成其他危险。
所有半导体额定电压为一个给定的最大反向电压。如果设备在高于这种电压的情况下工作，反向偏置电场就会产生高电场。这些电场足够强，可以把带电粒子加速到高能量。当这些加速的载流子击中电子与原子结合时，它们转移足够的能量以破坏原子键并形成电子空穴对。在高电场下，它们会朝相反的方向加速，并有可能撞击其他固定电子，使它们自由旋转。结果是雪崩击穿，破坏了功率半导体中的二极管层，使器件失去了功能。
Even if the device is not irreparably damaged， as some devices are designed to withstand a certain amount of avalanche current， a hysteresis effect means the voltage has to drop significantly before the reverse current is shut off， potenTIally causing damage to other components in the system.
In silicon， heat tends to accelerate the process of avalanche breakdown because higher temperatures will impart thermal energy to valence electrons in the crystal latTIce of the power device. As more thermal energy is absorbed， some of those valence electrons will break free of their bonds and move into the conducTIon bands. InducTIve loads increase the risk of breakdown because of the high reverse-bias conditions they can impose on the diode junctions inside a power transistor when used with switching power-supply circuitry.
