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功率模组和器件的开发应用

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  • 上传时间:2021-10-15
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  • 标      签: 功率模组 SiC

资 源 简 介

开发的SiC功率模组的特点   1.高耐热接合技术(480℃耐热)   2.采用高耐热封装(300℃耐热)   3.SW高速化,封装的寄生电感降低,可并行工作的模组Layout   4.通过8个并行驱动可支持150A的工作电流   5.成功开发出高耐热栅极驱动器
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