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IGBT寄生米勒效应电容问题产生原理和清除方法

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上传时间：2021-10-09
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标签： 栅极电阻半桥 IGBT

资源简介

米勒效应产生机制　　在IGBT开关时，有一个会经常遇到的问题，那就是由于寄生米勒电容开通而产生米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。寄生米勒电容引起的导通　　如图1所示，上管IGBT（S1）在导通时，SI处于半桥拓扑，此时SI 会产生一个变化的电压dV/dt，这个电压通过下管IGBT（S2）。电流流经S2的寄生米勒电容CCG 、栅极电阻RG和内部驱动栅极电阻 RDRIVER 。

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