资 源 简 介
木发明涉及一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法。选择P型或N型晶体硅硅片为衬底，经常规清洗和表面织构化后，在硅片的背表面淀积掺杂源。然后利用激光对欲彤成掺杂区的区域进jJ：加热，使掺杂源中的杂质扩散进入硅片中。 面没有激光加热的区域温度较低，掺杂源不会进入硅片。激光处理结术后，用水或其它溶剂占除贱留的掺杂源。这样，就在限定的区域形成了掺杂区。采用这种方法，可以简单地实现背表面限定区域内的掺杂。 然后利用丝网印刷、光刻、或真空蒸发、溅射等常规方法分别制各发射区和基区电极，并完成电池的制作。用这种方法制备背接触电池，可以明显简化电池的制作工艺，减少工艺成本。
1．一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其步骤包括：
（1）采用厚度为100～500 u m，电阻率为0.2～ooo Q cm的P型或N型晶体硅作为衬底；
（2）用常规方法在所述硅衬底正表面作表面织构化：然后作常规清洗；
（3）在所述硅衬底背表面，淀积掺杂源；淀积方法包括喷涂、印刷以及其它常规的淀积方法；
（4）利用激光对欲形成掺杂区的区域进行加热形成掺杂区；
（6）采用常规的丝网日J刷、真空蒸发或溅射方法，在所述掺杂区上制备基区或发射区金属电极。
2．如权利要求1所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述掺杂源为含磷、或锑、或硼、或铝、或镓等III族或V族掺杂剂的化合物或混合物。
3．如权利要求l所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：形成掺杂区的方法为激光加热。激光的波长为400～1200nm，加热温度800～1400℃。
4．如权利要求l、3所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述掺杂区为N型或P型，按照与衬底导电类型相同或相反，分别作为背接触电池的基区接触区或发射区。
